Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ
В книге рассмотрены конструктивно-технологические основы транзисторов со статической индукцией (СИТ), их отличие от биполярных СИТ (БСИТ), приведен сравнительный анализ БСИТ и других видов транзисторов: биполярных, полевых и биполярных с изолированным затвором (БТИЗ), - даются рекомендации по их пра...
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Materyal Türü: | Kitap |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
НБ СевКавГТУ
|
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| LEADER | 01623nam a2200277 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | F.NCFU.000029.00D3B4 | ||
| 005 | 20061024113212.0 | ||
| 010 | |9 3000 экз. |a 5-94120-042-0 | ||
| 100 | |a 20020925d2001 m y0rusy50 02 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a z | ||
| 106 | |a r | ||
| 200 | 1 | |a Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ |f под ред. В. М. Халикеева | |
| 210 | |a М. |c Додэка-ХХI |d 2001 | ||
| 215 | |a 63 с. |c ил., схемы | ||
| 225 | |a Библиотека электронных компонентов |h Вып. 16 | ||
| 320 | |a Алф. перечень транзисторов: с. 63 | ||
| 330 | |a В книге рассмотрены конструктивно-технологические основы транзисторов со статической индукцией (СИТ), их отличие от биполярных СИТ (БСИТ), приведен сравнительный анализ БСИТ и других видов транзисторов: биполярных, полевых и биполярных с изолированным затвором (БТИЗ), - даются рекомендации по их практическому использованию. | ||
| 606 | |a транзисторы |x технологические основы | ||
| 615 | |x электротехника | ||
| 675 | |a 621.38 | ||
| 702 | 1 | |4 340 |a Халикеев |b В. М. | |
| 801 | 1 | |a RU |b НБ СевКавГТУ |c 20061023 | |
| 801 | 0 | |a RU |b НБ СевКавГТУ |c 20061023 |g rcr | |
| 899 | |h 621.38 |i О-82 | ||