Пропуск в контексте

Физические основы микроэлектроники учебное пособие

Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена статистика электронов и дырок в полупроводн...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Смирнов, В. А. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02413nam0a2200385 4500
001 RU/IPR SMART/114992
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/114992.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-9729-0711-3 
205 |a Физические основы микроэлектроники  |b 2026-10-01 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 01.10.2026 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2021 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Физические основы микроэлектроники  |e учебное пособие  |f В. А. Смирнов, О. В. Шуваева 
700 1 |a Смирнов,   |b В. А.  |4 070 
701 1 |a Шуваева,   |b О. В.  |4 070 
330 |a Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена статистика электронов и дырок в полупроводниках. Для специалистов в области приборостроения. Издание может быть полезно студентам и аспирантам технических вузов. 
210 |a Москва, Вологда  |c Инфра-Инженерия  |d 2021 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a физические основы 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a транзисторы 
610 1 |a квантовая физика 
610 1 |a статистика электронов 
675 |a 621.3 
686 |a 32.844  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 232 с.