Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур учебно-методическое пособие
Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кр...
Kaydedildi:
| Materyal Türü: | Книга |
|---|---|
| Konular: | |
| Online Erişim: | Перейти к просмотру издания |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| LEADER | 04106nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/116427 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/116427.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20240904 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-7262-2422-0 | ||
| 205 | |a Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур |b 2026-11-12 | ||
| 333 | |a Лицензия до 12.11.2026 | ||
| 100 | |a 20240904d2018 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур |e учебно-методическое пособие |f Г. Д. Кузнецов, Г. К. Сафаралиев, М. Н. Стриханов [и др.] | |
| 701 | 1 | |a Кузнецов, |b Г. Д. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Сафаралиев, |b Г. К. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Стриханов, |b М. Н. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Каргин, |b Н. И. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Харламов, |b Н. А. |4 070 | |
| 330 | |a Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники. | ||
| 210 | |a Москва |c Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» |d 2018 | ||
| 610 | 1 | |a тонкопленочная гетерокомпозиция | |
| 610 | 1 | |a карбид кремния | |
| 610 | 1 | |a гетероструктура | |
| 675 | |a 539.216 | ||
| 686 | |a 22.379 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 148 с. | ||