Физические основы роста кристаллов. Ч.1 учебное пособие
Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспек...
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Книга |
| Materias: | |
| Acceso en línea: | Перейти к просмотру издания |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
| LEADER | 02729nam0a2200361 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/136333 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/136333.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20240904 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-7609-1829-1 | ||
| 205 | |a Физические основы роста кристаллов. Ч.1 |b 2029-02-08 | ||
| 333 | |a Лицензия до 08.02.2029 | ||
| 100 | |a 20240904d2023 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Физические основы роста кристаллов. Ч.1 |e учебное пособие |f И. А. Каплунов, А. И. Иванова, С. А. Третьяков | |
| 700 | 1 | |a Каплунов, |b И. А. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Иванова, |b А. И. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Третьяков, |b С. А. |4 070 | |
| 330 | |a Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества. | ||
| 210 | |a Тверь |c Тверской государственный университет |d 2023 | ||
| 610 | 1 | |a физические основы | |
| 610 | 1 | |a рост | |
| 610 | 1 | |a кристалл | |
| 675 | |a 538.9 | ||
| 686 | |a 22.37 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 83 с. | ||