Пропуск в контексте

Микроэлектроника учебное пособие

В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описа...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Троян, П. Е. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02884nam0a2200361 4500
001 RU/IPR SMART/13947
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/13947.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 2227-8397 
205 |a Микроэлектроника  |b Весь срок охраны авторского права 
333 |a Весь срок охраны авторского права 
100 |a 20250903d2007 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Микроэлектроника  |e учебное пособие  |f П. Е. Троян 
700 1 |a Троян,   |b П. Е.  |4 070 
330 |a В учебном пособии рассмотрены вопросы в соответствии ГОС ВПО и рабочей программой по дисциплине «Микроэлектроника» для студентов, обучающихся в ТУСУР по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и бакалавров по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника». Дано описание физических процессов в основных элементах интегральных схем – биполярных и полевых транзисторах, их особенностей в интегральном исполнении. Рассмотрены интегральные схемы на биполярных и полевых транзисторах, и основные схемотехнические решения интегральных схем цифровой и аналоговой электроники. Рассмотрены перспективные элементы интегральных схем и их предельные возможности, а также вопросы, связанные с функциональной электроникой. 
210 |a Томск  |c Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники  |d 2007 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a интегральная схема 
610 1 |a биполярный транзистор 
610 1 |a полярный транзистор 
610 1 |a полевой транзистор 
675 |a 62 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 346 с.