Пропуск в контексте

Диэлектрическая спектроскопия композиционных систем монография

В монографии представлены результаты исследования релаксационных свойств и низкочастотного диэлектрического отклика в композиционных системах на основе полимерных матриц, нанопористых стекол, халькогенидных полупроводников и кристаллических соединений, полученных разными методами и модифицированных...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Арата, Р. А.
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02979nam0a2200373 4500
001 RU/IPR SMART/152257
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/152257.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-8064-3464-8 
205 |a Диэлектрическая спектроскопия композиционных систем  |b 2028-06-26 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 26.06.2028 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2024 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Диэлектрическая спектроскопия композиционных систем  |e монография  |f Кастро Р. А. Арата 
700 1 |a Арата,   |b Р. А. 
330 |a В монографии представлены результаты исследования релаксационных свойств и низкочастотного диэлектрического отклика в композиционных системах на основе полимерных матриц, нанопористых стекол, халькогенидных полупроводников и кристаллических соединений, полученных разными методами и модифицированных различными наполнителями. Определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в исследуемых структурах. Книга предназначена для научных работников, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов бакалавриата университетов, специализирующихся в области физики полупроводников и технологий изготовления полупроводниковых приборов. 
210 |a Санкт-Петербург  |c Издательство РГПУ им. А. И. Герцена  |d 2024 
610 1 |a диэлектрическая спектроскопия 
610 1 |a композиционная система 
610 1 |a диэлектрический отклик 
610 1 |a полимерная матрица 
610 1 |a халькогенидные полупроводники 
610 1 |a кристаллические соединение 
675 |a 538.913 
686 |a 22.3  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 192 с.