Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий,...
Сохранить в:
| Формат: | Книга |
|---|---|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 04080nam0a2200421 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/18639 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/18639.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-4263-0118-4 | ||
| 205 | |a Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе |b 2027-07-01 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 01.07.2027 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2012 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе |e монография |f Г. М. Чулкова, А. А. Корнеев, К. В. Смирнов, О. В. Окунев | |
| 701 | 1 | |a Чулкова, |b Г. М. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Корнеев, |b А. А. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Смирнов, |b К. В. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Окунев, |b О. В. |4 070 | |
| 330 | |a Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. | ||
| 210 | |a Москва |c Прометей |d 2012 | ||
| 610 | 1 | |a энергетическая релаксация | |
| 610 | 1 | |a примесный металл | |
| 610 | 1 | |a двумерный электронный газ | |
| 610 | 1 | |a монография | |
| 610 | 1 | |a полупроводник | |
| 610 | 1 | |a нанотехнологии | |
| 610 | 1 | |a наноэлектроника | |
| 675 | |a 537.311 | ||
| 686 | |a 22.37 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 140 с. | ||