Пропуск в контексте

Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем научно-технологические проблемы и аспекты развития

В монографии представлены результаты исследований и разработок по реализации «Основ политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 г. и дальнейшую перспективу», утвержденным президентом Российской Федерации. Сформулированы основные принципы и методы...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Комаров, A. C. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 03485nam0a2200385 4500
001 RU/IPR SMART/36855
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/36855.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-94836-397-4 
205 |a Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем  |b 2030-03-03 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 03.03.2030 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2014 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем  |e научно-технологические проблемы и аспекты развития  |f A. C. Комаров, Д. В. Крапухин, Е. И. Шульгин  |g под редакцией П. П. Мальцев 
700 1 |a Комаров,   |b A. C.  |4 070 
701 1 |a Крапухин,   |b Д. В.  |4 070 
701 1 |a Шульгин,   |b Е. И.  |4 070 
702 1 |a Мальцев,   |b П. П.  |4 340 
330 |a В монографии представлены результаты исследований и разработок по реализации «Основ политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 г. и дальнейшую перспективу», утвержденным президентом Российской Федерации. Сформулированы основные принципы и методы управления техническим уровнем при реализации системной организации по проектированию, моделированию и технологическому обеспечению изготовления СБИС типа «система на кристалле», разработана концепция построения инфраструктуры сквозного проектирования сложно-функциональных СБИС от системного уровня до топологии кристалла, выбора технологического базиса для изготовления СБИС с учетом обеспечения специальных требований по радиационной стойкости, организации процесса изготовления фотошаблонов и микросхем, последующего их тестирования, сборки, испытаний и применения. 
210 |a Москва  |c Техносфера  |d 2014 
610 1 |a политика 
610 1 |a компонентная база 
610 1 |a электронная система 
610 1 |a технический уровень 
675 |a 621.3 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 240 с.