Пропуск в контексте

Основы технологии материалов микроэлектроники учебно-методическое пособие

В пособии кратко изложены основные представления о технологических методах и процессах, используемых в производстве основных материалов микроэлектроники. Рассмотрены физические явления и равновесные закономерности, лежащие в основе управления фазовыми и химическими превращениями веществ. Адресовано...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Каменская, А. В. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02615nam0a2200349 4500
001 RU/IPR SMART/45129
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/45129.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-7782-1420-0 
205 |a Основы технологии материалов микроэлектроники  |b 2030-02-05 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 05.02.2030 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2010 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Основы технологии материалов микроэлектроники  |e учебно-методическое пособие  |f А. В. Каменская 
700 1 |a Каменская,   |b А. В.  |4 070 
330 |a В пособии кратко изложены основные представления о технологических методах и процессах, используемых в производстве основных материалов микроэлектроники. Рассмотрены физические явления и равновесные закономерности, лежащие в основе управления фазовыми и химическими превращениями веществ. Адресовано студентам дневной и заочной форм обучения направлений: 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 – «Нанотехнология» специальностей: 210104 – «Микроэлектроника и твердотельная электроника, 210108 – «Микросистемная техника». 
210 |a Новосибирск  |c Новосибирский государственный технический университет  |d 2010 
610 1 |a технология материала 
610 1 |a материал микроэлектроники 
610 1 |a выращивание монокристалла 
610 1 |a полупроводниковое соединение 
675 |a 621.38 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 96 с.