Пропуск в контексте

Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V монография

Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фото...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Матвеев, Б. А. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 03047nam0a2200361 4500
001 RU/IPR SMART/49392
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/49392.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-7262-2211-0 
205 |a Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V  |b Весь срок охраны авторского права 
333 |a Весь срок охраны авторского права 
100 |a 20250903d2016 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V  |e монография  |f Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко 
700 1 |a Матвеев,   |b Б. А.  |4 070 
701 1 |a Ратушный,   |b В. И.  |4 070 
701 1 |a Рыбальченко,   |b А. Ю.  |4 070 
330 |a Проведен обзор материалов, структур и конструкций, применяемых при изготовлении средневолновых инфракрасных фотодиодов. Рассмотрены основные свойства и особенности протекания тока в диодах с контактами ограниченной площади и распределение плотности фототока в инфракрасных фотодиодах. На примере фотодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), рассмотрено влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики полупроводников, а также может быть полезна преподавателям, аспирантам, магистрантам и студентам инженерно-физических специальностей. 
210 |a Москва, Саратов  |c Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Ай Пи Эр Медиа  |d 2016 
610 1 |a фотодиод 
610 1 |a фототок 
610 1 |a физика 
675 |a 621 
686 |a 38.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 116 с.