Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами курс лекций
Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, кот...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03576nam0a2200349 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/56066 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/56066.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-87623-662-3 | ||
| 205 | |a Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами |b 2027-03-01 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 01.03.2027 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2013 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами |e курс лекций |f С. Ю. Юрчук | |
| 700 | 1 | |a Юрчук, |b С. Ю. |4 070 | |
| 330 | |a Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника». | ||
| 210 | |a Москва |c Издательский Дом МИСиС |d 2013 | ||
| 610 | 1 | |a фотолитография | |
| 610 | 1 | |a электронная литография | |
| 610 | 1 | |a математическое моделирование | |
| 610 | 1 | |a субмикронная структура | |
| 675 | |a 539 | ||
| 686 | |a 32.81 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 45 с. | ||