Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Книга |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | Перейти к просмотру издания |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
| LEADER | 03599nam0a2200433 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/62929 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/62929.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20240904 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-9296-0785-1 | ||
| 205 | |a Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону |b Весь срок охраны авторского права | ||
| 333 | |a Весь срок охраны авторского права | ||
| 100 | |a 20240904d2015 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону |e монография |f И. А. Сысоев, Л. С. Лунин | |
| 700 | 1 | |a Сысоев, |b И. А. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Лунин, |b Л. С. |4 070 | |
| 330 | |a В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой. | ||
| 210 | |a Ставрополь |c Северо-Кавказский федеральный университет |d 2015 | ||
| 610 | 1 | |a градиентная эпитаксия | |
| 610 | 1 | |a микроструктура | |
| 610 | 1 | |a наноструктура | |
| 610 | 1 | |a твердый раствор | |
| 610 | 1 | |a газовая фаза | |
| 610 | 1 | |a тонкая зона | |
| 610 | 1 | |a свойство гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a многокомпонентная гетероструктура | |
| 610 | 1 | |a термодинамический анализ | |
| 610 | 1 | |a массоперенос | |
| 675 | |a 539.21 | ||
| 686 | |a 22.36 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 97 с. | ||