Особенности электрофизических свойств ультратонких диэлектриков на неоднородной поверхности затворов энергонезависимой памяти монография
Представлены обзорные материалы более 130 источников по конструкции, принципу действия, энергонезависимой памяти (ЗУ). Рассмотрены электрофизические процессы проводимости в ультратонких пленках окисла на неоднородной поверхности поликремния затвора ЗУ. Проанализированы статистические и дискретные мо...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 02970nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/69549 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/69549.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 2227-8397 | ||
| 205 | |a Особенности электрофизических свойств ультратонких диэлектриков на неоднородной поверхности затворов энергонезависимой памяти |b 2027-08-28 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 28.08.2027 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2016 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Особенности электрофизических свойств ультратонких диэлектриков на неоднородной поверхности затворов энергонезависимой памяти |e монография |f Г. В. Перов, К. А. Смирнова, В. И. Сединин | |
| 700 | 1 | |a Перов, |b Г. В. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Смирнова, |b К. А. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Сединин, |b В. И. |4 070 | |
| 330 | |a Представлены обзорные материалы более 130 источников по конструкции, принципу действия, энергонезависимой памяти (ЗУ). Рассмотрены электрофизические процессы проводимости в ультратонких пленках окисла на неоднородной поверхности поликремния затвора ЗУ. Проанализированы статистические и дискретные модели электронной и ионной проводимости диэлектрика на неоднородной поверхности. Определены принципы и способы повышения электрической прочности термического окисла на поликремнии затвора ЗУ. | ||
| 210 | |a Новосибирск |c Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики |d 2016 | ||
| 610 | 1 | |a запоминающее устройство | |
| 610 | 1 | |a энергонезависимая память | |
| 610 | 1 | |a ультратонкая пленка | |
| 610 | 1 | |a затвор | |
| 610 | 1 | |a диэлектрик | |
| 675 | |a 62 | ||
| 686 | |a 32.88 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 121 с. | ||