Пропуск в контексте

Современные проблемы микро- и наноэлектроники учебное пособие

Представлены современные тенденции развития электроники в России и за рубежом, рассмотрены перспективные направления улучшения параметров уже существующих устройств микро- и наноэлектроники, приведены примеры появления на рынке электронных устройств принципиально новых разработок, решающих задачи фо...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Шелованова, Г. Н. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02428nam0a2200361 4500
001 RU/IPR SMART/84128
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/84128.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-7638-3775-9 
205 |a Современные проблемы микро- и наноэлектроники  |b 2029-05-16 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.05.2029 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2017 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Современные проблемы микро- и наноэлектроники  |e учебное пособие  |f Г. Н. Шелованова 
700 1 |a Шелованова,   |b Г. Н.  |4 070 
330 |a Представлены современные тенденции развития электроники в России и за рубежом, рассмотрены перспективные направления улучшения параметров уже существующих устройств микро- и наноэлектроники, приведены примеры появления на рынке электронных устройств принципиально новых разработок, решающих задачи фотовольтаики, микроэлектромеханики, сенсорики и оптоэлектроники. Предназначено для студентов направления подготовки бакалавров 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника». 
210 |a Красноярск  |c Сибирский федеральный университет  |d 2017 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a наноэлектроника 
610 1 |a электронное устройство 
610 1 |a оптоэлектроника 
610 1 |a сенсорика 
675 |a 62 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 128 с.