Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов учебное пособие
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на G...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03193nam0a2200433 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/91724 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/91724.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-7782-3369-0 | ||
| 205 | |a Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов |b 2030-02-05 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 05.02.2030 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2017 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов |e учебное пособие |f В. С. Данилов, Ю. Н. Раков | |
| 700 | 1 | |a Данилов, |b В. С. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Раков, |b Ю. Н. |4 070 | |
| 330 | |a В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами. | ||
| 210 | |a Новосибирск |c Новосибирский государственный технический университет |d 2017 | ||
| 610 | 1 | |a полупроводниковый элемент | |
| 610 | 1 | |a биполярный транзистор | |
| 610 | 1 | |a МОП-транзитор | |
| 610 | 1 | |a полевой СВЧ-транзистор | |
| 610 | 1 | |a барьер Шоттки | |
| 610 | 1 | |a арсенид галлия | |
| 610 | 1 | |a гетероструктурный транзистор | |
| 610 | 1 | |a уравнение Пуассона | |
| 610 | 1 | |a уравнение непрерывности | |
| 610 | 1 | |a тепловое равновесие | |
| 675 | |a 621.382 | ||
| 686 | |a 32.85 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 418 с. | ||