Пропуск в контексте

Физические основы электроники

В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности диод с pn-п...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Толмачёв, В. В. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 02592nam0a2200385 4500
001 RU/IPR SMART/92021
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/92021.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-4344-0753-3 
205 |a Физические основы электроники  |b 2028-07-01 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 01.07.2028 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2019 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Физические основы электроники  |f В. В. Толмачёв, Ф. В. Скрипник 
700 1 |a Толмачёв,   |b В. В.  |4 070 
701 1 |a Скрипник,   |b Ф. В.  |4 070 
330 |a В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности диод с pn-переходом и pnp-транзистор. Пособие предназначено студентам младших курсов технических вузов и университетов, изучающим курсы твёрдотельной электроники, а также всем, интересующимся основами твёрдотельной электроники. 
210 |a Москва, Ижевск  |c Регулярная и хаотическая динамика, Институт компьютерных исследований  |d 2019 
610 1 |a электроника 
610 1 |a квантовая механика 
610 1 |a статика 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводниковый прибор 
610 1 |a квантовая теория 
675 |a 530 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 496 с.