МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологическо...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Книга |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | Перейти к просмотру издания |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
| LEADER | 03711nam0a2200373 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/93364 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/93364.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20240904 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-94836-521-3 | ||
| 205 | |a МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники |b 2025-03-03 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 03.03.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20240904d2018 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники |f Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк | |
| 700 | 1 | |a Акчурин, |b Р. Х. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Мармалюк, |b А. А. |4 070 | |
| 330 | |a В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей. | ||
| 210 | |a Воронеж |c Техносфера |d 2018 | ||
| 610 | 1 | |a эпитаксия | |
| 610 | 1 | |a фотоника | |
| 610 | 1 | |a электроника | |
| 610 | 1 | |a гидридные источники | |
| 610 | 1 | |a МОС-источники | |
| 675 | |a 621.382 | ||
| 686 | |a 31.2 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 488 с. | ||