Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения
Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,...
में बचाया:
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| स्वरूप: | Книга |
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | Перейти к просмотру издания |
| टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
| LEADER | 06705nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/93367 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/93367.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20240904 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-94836-519-0 | ||
| 205 | |a Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения |b 2025-03-03 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 03.03.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20240904d2018 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения |f Е. В. Берлин, В. Ю. Григорьев, Л. А. Сейдман | |
| 700 | 1 | |a Берлин, |b Е. В. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Григорьев, |b В. Ю. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Сейдман, |b Л. А. |4 070 | |
| 330 | |a Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10¹¹-10¹² см‾³), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10‾²2÷10‾¹ Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций. | ||
| 210 | |a Москва |c Техносфера |d 2018 | ||
| 610 | 1 | |a индуктивные источники | |
| 610 | 1 | |a высокоплотная плазма | |
| 610 | 1 | |a электрод | |
| 610 | 1 | |a плотность плазмы | |
| 610 | 1 | |a ионный ток | |
| 675 | |a 537.5 | ||
| 686 | |a 22.333 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 464 с. | ||