Пропуск в контексте

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебное пособие

В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нан...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Курочка, С. П. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 03562nam0a2200385 4500
001 RU/IPR SMART/98084
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/98084.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-87623-940-2 
205 |a Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций  |b 2025-12-16 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2015 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций  |e учебное пособие  |f С. П. Курочка, А. А. Сергиенко 
700 1 |a Курочка,   |b С. П.  |4 070 
701 1 |a Сергиенко,   |b А. А.  |4 070 
330 |a В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии – молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические – зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор. Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника». 
210 |a Москва  |c Издательский Дом МИСиС  |d 2015 
610 1 |a электроника 
610 1 |a нанотехнология 
610 1 |a наноразмерная гетероструктура 
610 1 |a нанолитография 
610 1 |a полевой транзистор 
610 1 |a одноэлектронный транзистор 
675 |a 62 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 82 с.