Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники курс лекций
В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введ...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03879nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/98100 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/98100.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-87623-415-5 | ||
| 205 | |a Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники |b 2025-12-16 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2011 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: основы радиационной стойкости изделий электронной техники |e курс лекций |f К. И. Таперо | |
| 700 | 1 | |a Таперо, |b К. И. |4 070 | |
| 330 | |a В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника». | ||
| 210 | |a Москва |c Издательский Дом МИСиС |d 2011 | ||
| 610 | 1 | |a электронная техника | |
| 610 | 1 | |a ионизирующее излучение | |
| 610 | 1 | |a полупроводник | |
| 610 | 1 | |a радиация | |
| 610 | 1 | |a интегральная схема | |
| 610 | 1 | |a космическое пространство | |
| 610 | 1 | |a биполярный прибор | |
| 675 | |a 62 | ||
| 686 | |a 32.85 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 252 с. | ||