Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур монография
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктур...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 04024nam0a2200361 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/98107 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/98107.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-87623-489-6 | ||
| 205 | |a Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур |b 2025-12-16 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2011 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур |e монография |f А. Н. Ковалев | |
| 700 | 1 | |a Ковалев, |b А. Н. |4 070 | |
| 330 | |a Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов. | ||
| 210 | |a Москва |c Издательский Дом МИСиС |d 2011 | ||
| 610 | 1 | |a электроника | |
| 610 | 1 | |a биполярный транзистор | |
| 610 | 1 | |a полевой транзистор | |
| 610 | 1 | |a гетероструктура | |
| 610 | 1 | |a нанотехнология | |
| 675 | |a 62 | ||
| 686 | |a 32.85 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 364 с. | ||