Пропуск в контексте

Цифровая микроэлектроника учебное пособие

Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарн...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Дыбко, М. А. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 03597nam0a2200397 4500
001 RU/IPR SMART/98759
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/98759.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-7782-3834-3 
205 |a Цифровая микроэлектроника  |b 2030-09-07 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 07.09.2030 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2019 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Цифровая микроэлектроника  |e учебное пособие  |f М. А. Дыбко, А. В. Удовиченко, А. Г. Волков 
700 1 |a Дыбко,   |b М. А.  |4 070 
701 1 |a Удовиченко,   |b А. В.  |4 070 
701 1 |a Волков,   |b А. Г.  |4 070 
330 |a Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника». 
210 |a Новосибирск  |c Новосибирский государственный технический университет  |d 2019 
610 1 |a цифровая микроэлектроника 
610 1 |a биполярный транзистор 
610 1 |a полевой транзистор 
610 1 |a электронный ключ 
610 1 |a логический элемент 
610 1 |a цифровое устройство 
675 |a 62 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 200 с.