Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия курс лекций
В курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах р...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03278nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/98841 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/98841.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 2227-8397 | ||
| 205 | |a Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия |b 2025-12-16 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2006 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия |e курс лекций |f В. Т. Бублик, А. М. Мильвидский | |
| 700 | 1 | |a Бублик, |b В. Т. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Мильвидский, |b А. М. |4 070 | |
| 330 | |a В курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах различного типа. Для более полного усвоения материала приводится большой объем иллюстраций. Необходимо особо отменить, что подобного курса лекций, отвечающего современному уровню и объему данного раздела, в числе читаемых для указанных специальностей в настоящее время не имеется. Предназначено для студентов 4 и 5 курсов специальностей 071000, 200100 и направлений 5516, 5507, 5531, а также аспирантов специализирующихся в области физики и технологии роста кристаллов по специальностям: 01.24.10, 05.27.06 и 05.27.01. | ||
| 210 | |a Москва |c Издательский Дом МИСиС |d 2006 | ||
| 610 | 1 | |a электроника | |
| 610 | 1 | |a рентгеновский луч | |
| 610 | 1 | |a рентгеновская топограмма | |
| 610 | 1 | |a дифракционная теория | |
| 610 | 1 | |a микроскопия | |
| 610 | 1 | |a дефект | |
| 675 | |a 62 | ||
| 686 | |a 32.85 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 93 с. | ||