Основы математического моделирования учебное пособие
В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с цель...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 03790nam0a2200361 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/98880 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/98880.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-87623-811-5 | ||
| 205 | |a Основы математического моделирования |b 2025-12-16 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 16.12.2025 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2014 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Основы математического моделирования |e учебное пособие |f С. Ю. Юрчук | |
| 700 | 1 | |a Юрчук, |b С. Ю. |4 070 | |
| 330 | |a В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника». | ||
| 210 | |a Москва |c Издательский Дом МИСиС |d 2014 | ||
| 610 | 1 | |a математическая модель | |
| 610 | 1 | |a технологический процесс | |
| 610 | 1 | |a электроника | |
| 610 | 1 | |a ионная имплантация | |
| 610 | 1 | |a диффузный процесс | |
| 675 | |a 62 | ||
| 686 | |a 32.85 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 108 с. | ||