Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсу...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 02964nam0a2200349 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/99039 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/99039.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-292-04601-1 | ||
| 205 | |a Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах |b 2030-08-25 | ||
| 333 | |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 25.08.2030 (автопролонгация) | ||
| 100 | |a 20250903d2019 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах |e учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий |f В. С. Тяжлов, В. Н. Посадский | |
| 700 | 1 | |a Тяжлов, |b В. С. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Посадский, |b В. Н. |4 070 | |
| 330 | |a На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика». | ||
| 210 | |a Саратов |c Издательство Саратовского университета |d 2019 | ||
| 610 | 1 | |a проектирование | |
| 610 | 1 | |a СВЧ-усилитель | |
| 610 | 1 | |a полевой транзистор | |
| 675 | |a 621.372.2 | ||
| 686 | |a 32.850.4 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 36 с. | ||