Пропуск в контексте

Современные технологии изготовления трехмерных электронных устройств

С развитием высоких технологий становится реальным выпуск трехмерных электронных устройств (ТЭУ), в том числе микронных и субмикронных многослойных схем. На основе классификации формирования ТЭУ на плоских (2D) и квазиобъемных (квази-3D) подложках рассмотрены основные принципы и характеристики техно...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Кондрашин, А. А. (070)
Формат: Книга
Темы:
Online-ссылка:Перейти к просмотру издания
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
LEADER 06293nam0a2200385 4500
001 RU/IPR SMART/99116
856 4 |u https://www.iprbookshop.ru/99116.html  |z Перейти к просмотру издания 
801 1 |a RU  |b IPR SMART  |c 20250903  |g RCR 
010 |a 978-5-94836-504-6 
205 |a Современные технологии изготовления трехмерных электронных устройств  |b 2030-08-26 
333 |a Гарантированный срок размещения в ЭБС до 26.08.2030 (автопролонгация) 
100 |a 20250903d2019 k y0rusy01020304ca 
105 |a y j 000zy 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Современные технологии изготовления трехмерных электронных устройств  |f А. А. Кондрашин, А. Н. Лямин, В. В. Слепцов 
700 1 |a Кондрашин,   |b А. А.  |4 070 
701 1 |a Лямин,   |b А. Н.  |4 070 
701 1 |a Слепцов,   |b В. В.  |4 070 
330 |a С развитием высоких технологий становится реальным выпуск трехмерных электронных устройств (ТЭУ), в том числе микронных и субмикронных многослойных схем. На основе классификации формирования ТЭУ на плоских (2D) и квазиобъемных (квази-3D) подложках рассмотрены основные принципы и характеристики технологий плоской печати. Сделан вывод о невозможности изготавливать по этим технологиям объемные структуры сложной формы в непрерывном технологическом цикле, а также проанализированы возможности современных технологий для производства ТЭУ. Классификация данных технологий по физическому принципу воздействия на конструкционный материал и выявление их общих недостатков показали, что использование данных технологий не позволяет эффективно формировать многослойные сложные 3D-объекты. Решением данной задачи являются еще только разрабатываемые гибридные технологии, названные в данной работе квази-4D-технологиями формирования ТЭУ, так как в настоящее время они находятся лишь в стадии разработки (являются пред-4D-технологиями или 3D+-технологиями), практически не обеспечены необходимыми материалами и элементной базой, но имеют потенциальные возможности для создания полноценных 4D-объектов. Первым шагом к созданию квази-4D-технологий формирования ТЭУ является внедрение 3D MID-технологий. Проведен сравнительный анализ возможностей различных 3D MID-технологий формирования ТЭУ, выявлены недостатки данных технологий и приведены примеры их реализации в промышленности. В то же время, исходя из возможностей современных технологий, создана классификация 4D-объектов (способных менять свою форму или структуру после их создания в зависимости от внешних условий, например при изменении температуры, при механическом воздействии и т.д.) ТЭУ и технологий для их формирования. Данное учебное пособие является первой книгой по технологиям изготовления, сканирования и визуализации трехмерных электронных устройств. Во второй книге будут рассмотрены технологии сканирования трехмерных электронных устройств различных диапазонов, в том числе нанометрового диапазона. Отдельный раздел второй книги будет посвящен возможностям изготовления трехмерных электронных устройств нанометрового диапазона с применением методов сканирующей микроскопии. Третья книга будет посвящена технологиям визуализации (средствам отображения информации) для контроля параметров ТЭУ, создания новых ТЭУ и технологий реинжиниринга ТЭУ. Учебное пособие может быть рекомендовано бакалаврам и магистрам высших учебных заведений. 
210 |a Москва  |c Техносфера  |d 2019 
610 1 |a электронное устройство 
610 1 |a технология 
610 1 |a современные технологии 
610 1 |a 3D объект 
610 1 |a 4D объект 
675 |a 621.396 
686 |a 32.844  |2 rubbk 
300 |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. 
106 |a s 
230 |a Электрон. дан. (1 файл) 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
503 0 |a Доступна эл. версия. IPR SMART 
215 |a 210 с.