Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств учебное пособие
Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящ...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Темы: | |
| Online-ссылка: | Перейти к просмотру издания |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| LEADER | 04066nam0a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU/IPR SMART/99260 | ||
| 856 | 4 | |u https://www.iprbookshop.ru/99260.html |z Перейти к просмотру издания | |
| 801 | 1 | |a RU |b IPR SMART |c 20250903 |g RCR | |
| 010 | |a 978-5-7433-3318-9 | ||
| 205 | |a Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств |b 2030-08-31 | ||
| 333 | |a Лицензия до 31.08.2030 | ||
| 100 | |a 20250903d2019 k y0rusy01020304ca | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств |e учебное пособие |f В. В. Перинский, И. В. Перинская, С. Г. Калганова | |
| 700 | 1 | |a Перинский, |b В. В. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Перинская, |b И. В. |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Калганова, |b С. Г. |4 070 | |
| 330 | |a Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники. | ||
| 210 | |a Саратов |c Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ |d 2019 | ||
| 610 | 1 | |a физика | |
| 610 | 1 | |a наноконструирование | |
| 610 | 1 | |a кластеризация | |
| 610 | 1 | |a ионное легирование | |
| 610 | 1 | |a корреляция | |
| 675 | |a 539.1 | ||
| 686 | |a 22.3 |2 rubbk | ||
| 300 | |a Книга находится в премиум-версии IPR SMART. | ||
| 106 | |a s | ||
| 230 | |a Электрон. дан. (1 файл) | ||
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 503 | 0 | |a Доступна эл. версия. IPR SMART | |
| 215 | |a 123 с. | ||