تخطي إلى المحتوى
Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
التنسيق: Статья
اللغة:English
منشور في: Elsevier Ltd 2024
الموضوعات:
Semiconducting quaternary alloys
Silicon
Highly mismatched alloys
III–V compounds
Pulsed laser deposition
الوصول للمادة أونلاين:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667

مواد مشابهة