বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
বিন্যাস: Статья
ভাষা:English
প্রকাশিত: Elsevier Ltd 2024
বিষয়গুলি:
Semiconducting quaternary alloys
Silicon
Highly mismatched alloys
III–V compounds
Pulsed laser deposition
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

আন্তর্জাল

https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667

অনুরূপ উপাদানগুলি