Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , |
|---|---|
| Médium: | Статья |
| Jazyk: | English |
| Vydáno: |
Elsevier Ltd
2024
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|