Пропуск в контексте

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Главные авторы: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
פורמט: Статья
שפה:English
יצא לאור: Elsevier Ltd 2024
נושאים:
גישה מקוונת:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!