Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
שמור ב:
Главные авторы: | , , , |
---|---|
פורמט: | Статья |
שפה: | English |
יצא לאור: |
Elsevier Ltd
2024
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|