Անցեք բովանդակությանը
Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
Ձևաչափ: Статья
Լեզու:English
Հրապարակվել է: Elsevier Ltd 2024
Խորագրեր:
Semiconducting quaternary alloys
Silicon
Highly mismatched alloys
III–V compounds
Pulsed laser deposition
Առցանց հասանելիություն:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667

Նմանատիպ նյութեր