コンテンツを見る

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition

The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...

詳細記述

保存先:
書誌詳細
主要な著者: Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
フォーマット: Статья
言語:English
出版事項: Elsevier Ltd 2024
主題:
オンライン・アクセス:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667
タグ: タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!