Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Język: | English |
| Wydane: |
Elsevier Ltd
2024
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|