Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Язык: | English |
| Опубликовано: |
Elsevier Ltd
2024
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|