Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Elsevier Ltd
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|