Пропуск в контексте
COMPARISON OF THE EFFICIENCY OF DIFFERENT DETECTORS OF THE SCANNING ELECTRONIC MICROSCOPE MIRA-LMH FOR STUDYING MICROSTRUCTURE OF NANOMATERIALS

COMPARISON OF THE EFFICIENCY OF DIFFERENT DETECTORS OF THE SCANNING ELECTRONIC MICROSCOPE MIRA-LMH FOR STUDYING MICROSTRUCTURE OF NANOMATERIALS

На первом этапе были синтезированы объекты исследования – диоксид кремния методом Штобера, где в качестве прекурсора использовали тетраэтоксисилан, и нанокомпозит ZnO–Au золь-гель методом с использованием в качестве прекурсора 2–водного ацетата цинка. На втором этапе, микроструктуру и морфологию пол...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Kuleshov, D. S., Кулешов, Д. С., Blinov, A. V., Блинов, А. В., Blinova, A. A., Блинова, А. А., Yasnaya, M. A., Ясная, М. А., Maglakelidze, D. G., Маглакелидзе, Д. Г., Vishnitskaya, O. K., Вишницкая, О. К.
Формат: Статья
Язык:English
Опубликовано: Tver State University 2024
Темы:
Silicon dioxide
Detectors
ZnO–Au nanocomposite
Scanning electron microscopy
Microstructure
Online-ссылка:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29290
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Описание
Краткое описание:На первом этапе были синтезированы объекты исследования – диоксид кремния методом Штобера, где в качестве прекурсора использовали тетраэтоксисилан, и нанокомпозит ZnO–Au золь-гель методом с использованием в качестве прекурсора 2–водного ацетата цинка. На втором этапе, микроструктуру и морфологию полученных образцов исследовали методом растровой электронной микроскопии на сканирующем электронном микроскопе «MIRA-LMH» фирмы «Tescan» с применением как классического детектора вторичных электронов, так и дополнительных детекторов – внутрилинзового детектора вторичных электронов и детектора отраженных электронов. В результате исследований установлено, что при использовании детектора вторичных электронов получаются изображения с топографическим контрастом и практически без шумов. При использовании внутрилинзового детектора вторичных электронов создаются изображения только материального контраста, без влияния рельефа поверхности. Также использование данного детектора позволило получить высококачественные изображения с большим разрешением на расстоянии от образца 5 мм. При использовании детектора отраженных электронов с рабочим расстоянием до образца 8 мм и увеличении разрешающей способности микроскопа, полученные изображения имеют низкий контраст границ, но представляют композиционную информацию с высокой чувствительностью. Таким образом, установлено, что внутрилинзовый детектор вторичных электронов, с рабочим расстоянием до образца 5 мм, является оптимальным для получения четких изображений микроструктры поверхности наноматериалов при многократном увеличении.

Схожие документы