ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si

Методом импульсного лазерного напыления в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси из мишени In0,02Ga0,98As впервые были получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si . Мишень In0,02Ga0,98As формировалась методом одноосного прессования из порошков GaAs и InAs. Методами атомно силовой микроскоп...

Полное описание

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главные авторы:	Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
Формат:	Статья
Язык:	Russian
Опубликовано:	Tver State University 2024
Темы:	InGaAsN Raman spectra Pulsed laser deposition Thin films
Online-ссылка:	https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29293
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

id	ir-123456789-29293
record_format	dspace
spelling	ir-123456789-292932024-11-29T09:02:16Z ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si Devitsky, O. V. Девицкий, О. В. InGaAsN Raman spectra Pulsed laser deposition Thin films Методом импульсного лазерного напыления в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси из мишени In0,02Ga0,98As впервые были получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si . Мишень In0,02Ga0,98As формировалась методом одноосного прессования из порошков GaAs и InAs. Методами атомно силовой микроскопии и рентгеновской дифракции исследованы морфология поверхности и структура данных тонких пленок. Показано, что пленки In0,02Ga0,98As1-yNy на Si имеют средний размер кристалла 0,93 нм, а пленки и In0,02Ga0,98As1-yNy на GaAs — 0,99 нм. Определено, что уменьшение давления аргоно-азотной смеси при импульсном лазерном напылении тонких пленок 0,02 0,98 1-y y In Ga As N на подложках GaAs и Si приводит к снижению значения среднеквадратичной шероховатости поверхности. Наименьшую среднеквадратическую шероховатость равную 0,25 нм имела тонкая пленка In0,02Ga0,98As1-yNy на подложке GaAs, полученная в вакууме, наибольшую среднеквадратическую шероховатость имела тонкая пленка In0,02Ga0,98As1-yNy на подложке Si , полученная при давления аргоно-азотной смеси от 10 Па — 19,37 нм. 2024-11-29T09:01:15Z 2024-11-29T09:01:15Z 2021 Статья Devitsky, O. V. ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. - 2021. - 13. рр. 106-114. - DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.106. https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29293 ru PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS application/pdf Tver State University
institution	СКФУ
collection	Репозиторий
language	Russian
topic	InGaAsN Raman spectra Pulsed laser deposition Thin films
spellingShingle	InGaAsN Raman spectra Pulsed laser deposition Thin films Devitsky, O. V. Девицкий, О. В. ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
description	Методом импульсного лазерного напыления в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси из мишени In0,02Ga0,98As впервые были получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si . Мишень In0,02Ga0,98As формировалась методом одноосного прессования из порошков GaAs и InAs. Методами атомно силовой микроскопии и рентгеновской дифракции исследованы морфология поверхности и структура данных тонких пленок. Показано, что пленки In0,02Ga0,98As1-yNy на Si имеют средний размер кристалла 0,93 нм, а пленки и In0,02Ga0,98As1-yNy на GaAs — 0,99 нм. Определено, что уменьшение давления аргоно-азотной смеси при импульсном лазерном напылении тонких пленок 0,02 0,98 1-y y In Ga As N на подложках GaAs и Si приводит к снижению значения среднеквадратичной шероховатости поверхности. Наименьшую среднеквадратическую шероховатость равную 0,25 нм имела тонкая пленка In0,02Ga0,98As1-yNy на подложке GaAs, полученная в вакууме, наибольшую среднеквадратическую шероховатость имела тонкая пленка In0,02Ga0,98As1-yNy на подложке Si , полученная при давления аргоно-азотной смеси от 10 Па — 19,37 нм.
format	Статья
author	Devitsky, O. V. Девицкий, О. В.
author_facet	Devitsky, O. V. Девицкий, О. В.
author_sort	Devitsky, O. V.
title	ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
title_short	ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
title_full	ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
title_fullStr	ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
title_full_unstemmed	ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
title_sort	roughness and structure of ingaasn thin films on si
publisher	Tver State University
publishDate	2024
url	https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29293
work_keys_str_mv	AT devitskyov roughnessandstructureofingaasnthinfilmsonsi AT devickijov roughnessandstructureofingaasnthinfilmsonsi
_version_	1842245526254256128

ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si

Схожие документы