ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si
Методом импульсного лазерного напыления в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси из мишени In0,02Ga0,98As впервые были получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si . Мишень In0,02Ga0,98As формировалась методом одноосного прессования из порошков GaAs и InAs. Методами атомно силовой микроскоп...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Язык: | Russian |
| Опубликовано: |
Tver State University
2024
|
| Темы: | |
| Online-ссылка: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29293 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
