Preskoči na sadržaj

ROUGHNESS AND STRUCTURE OF InGaAsN THIN FILMS ON Si

Методом импульсного лазерного напыления в атмосфере аргоно-азотной газовой смеси из мишени In0,02Ga0,98As впервые были получены тонкие пленки InGaAsN на подложках GaAs и Si . Мишень In0,02Ga0,98As формировалась методом одноосного прессования из порошков GaAs и InAs. Методами атомно силовой микроскоп...

Cijeli opis

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Glavni autori: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
Format: Статья
Jezik:Russian
Izdano: Tver State University 2024
Teme:
Online pristup:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29293
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!