تخطي إلى المحتوى

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology

The article describes frequency characteristics of semiconductor-metal-semiconductor Si-Ag-Si structures (ohmic contacts) having metal nanolayers as well as features of resonance phenomenon and sandwich structure energy interaction. Mathematical simulation of mentioned above processes is provided. T...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Valyukhov, D. P., Валюхов, Д. П., Baklanov, I. S., Бакланов, И. С., Shtab, E. V., Штаб, Э. В., Shtab, A. V., Штаб, А. В., Pigulev, R. V., Пигулев, Р. В., Iliasov, A. S., Ильясов, А. Ш.
التنسيق: Статья
اللغة:English
منشور في: Institute of Physics Publishing 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85077954308&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&st1=Resonant-frequency+properties+of+low-dimensional+junction+of+semiconductor-metal-semiconductor+and+calculation+methodology&st2=&sid=06bfe297a5d6aa23ab9ecf239eeb9ff0&sot=b&sdt=b&sl=137&s=TITLE-ABS-KEY%28Resonant-frequency+properties+of+low-dimensional+junction+of+semiconductor-metal-semiconductor+and+calculation+methodology%29&relpos=0&citeCnt=0&searchTerm=
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11217
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!