Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

Fuld beskrivelse

Сохранить в:

Bibliografiske detaljer
Главные авторы:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
Format:	Статья
Sprog:	English
Udgivet:	Elsevier B.V. 2022
Fag:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
Online adgang:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
Tags:	Tilføj Tag Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!

Lignende værker

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
af: Pashchenko, A. S., и др.
Udgivet: (2024)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
af: Sysoev, I. A., и др.
Udgivet: (2019)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
af: Pashchenko, A. S., и др.
Udgivet: (2023)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2018)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
af: Lunin, L. S., и др.
Udgivet: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2023)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2023)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2023)

Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2021)

Pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films onto sapphire substrates
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2020)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
af: Sankin, A. V., и др.
Udgivet: (2021)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2024)

Domino reactions of 1-substituted N-(cyanomethyl)isoquinolinium salts with salicylic aldehydes
af: Aksenov, A. V., и др.
Udgivet: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
af: Kravtsov, A. A., и др.
Udgivet: (2018)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2022)

Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
af: Sankin, A. V., и др.
Udgivet: (2022)

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
af: Lapin, V. A., и др.
Udgivet: (2023)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
af: Sankin, A. V., и др.
Udgivet: (2020)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
af: Tarala, V. A., и др.
Udgivet: (2018)

Synthesis of selenium nanoparticles stabilized by quaternary ammonium compounds
af: Blinov, A. V., и др.
Udgivet: (2022)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
af: Тихов С. В.
Udgivet: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
af: Дорохин М. В.
Udgivet: (2013)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
af: Смирнов, А. В.

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
af: Tarala, V. A., и др.
Udgivet: (2018)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
af: Тяжлов В. С.
Udgivet: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
af: Тяжлов, В. С.

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
af: Sysoev, I. A., и др.
Udgivet: (2022)

COMPUTER QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE INTERACTION OF SELENIUM NANOPARTICLES WITH QUATERNARY AMMONIUM COMPOUNDS
af: Blinov, A. V., и др.
Udgivet: (2024)

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology
af: Valyukhov, D. P., и др.
Udgivet: (2020)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
af: Saytiev, A. B., и др.
Udgivet: (2019)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
af: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
af: Жалыбина, Е. Г.
Udgivet: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Udgivet: (2001)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
af: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
af: Devitsky, O. V., и др.
Udgivet: (2020)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
af: Mitrofanov, D. V., и др.
Udgivet: (2022)