Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
Định dạng:	Статья
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Elsevier B.V. 2022
Những chủ đề:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
Truy cập trực tuyến:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
Bằng: Pashchenko, A. S., et al.
Được phát hành: (2024)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
Bằng: Sysoev, I. A., et al.
Được phát hành: (2019)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
Bằng: Pashchenko, A. S., et al.
Được phát hành: (2023)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2018)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
Bằng: Lunin, L. S., et al.
Được phát hành: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023)

Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2021)

Pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films onto sapphire substrates
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2020)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
Bằng: Sankin, A. V., et al.
Được phát hành: (2021)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2024)

Domino reactions of 1-substituted N-(cyanomethyl)isoquinolinium salts with salicylic aldehydes
Bằng: Aksenov, A. V., et al.
Được phát hành: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
Bằng: Kravtsov, A. A., et al.
Được phát hành: (2018)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2022)

Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
Bằng: Sankin, A. V., et al.
Được phát hành: (2022)

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
Bằng: Lapin, V. A., et al.
Được phát hành: (2023)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
Bằng: Sankin, A. V., et al.
Được phát hành: (2020)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
Bằng: Tarala, V. A., et al.
Được phát hành: (2018)

Synthesis of selenium nanoparticles stabilized by quaternary ammonium compounds
Bằng: Blinov, A. V., et al.
Được phát hành: (2022)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
Bằng: Тихов С. В.
Được phát hành: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
Bằng: Дорохин М. В.
Được phát hành: (2013)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
Bằng: Смирнов, А. В.

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
Bằng: Tarala, V. A., et al.
Được phát hành: (2018)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Bằng: Тяжлов В. С.
Được phát hành: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Bằng: Тяжлов, В. С.

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
Bằng: Sysoev, I. A., et al.
Được phát hành: (2022)

COMPUTER QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE INTERACTION OF SELENIUM NANOPARTICLES WITH QUATERNARY AMMONIUM COMPOUNDS
Bằng: Blinov, A. V., et al.
Được phát hành: (2024)

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology
Bằng: Valyukhov, D. P., et al.
Được phát hành: (2020)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
Bằng: Saytiev, A. B., et al.
Được phát hành: (2019)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
Bằng: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
Bằng: Жалыбина, Е. Г.
Được phát hành: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Được phát hành: (2001)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
Bằng: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2020)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
Bằng: Mitrofanov, D. V., et al.
Được phát hành: (2022)