Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
Ձևաչափ:	Статья
Լեզու:	English
Հրապարակվել է:	Elsevier B.V. 2022
Խորագրեր:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
Առցանց հասանելիություն:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Համացանց

Նմանատիպ նյութեր