Přeskočit na obsah

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
Médium: Статья
Jazyk:English
Vydáno: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
Témata:
On-line přístup:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!