Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
The thin films of InGaAsP/Si were obtained by pulsed laser deposition at different argon pressures. The InGaAsP/Si films obtained at an argon pressure of 10 Pa have the highest roughness, and the smallest are films obtained in a vacuum. In PLD in argon, atoms are scattered on the substrate at differ...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Статья |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
American Institute of Physics Inc.
2022
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/21198 |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|