Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
The thin films of InGaAsP/Si were obtained by pulsed laser deposition at different argon pressures. The InGaAsP/Si films obtained at an argon pressure of 10 Pa have the highest roughness, and the smallest are films obtained in a vacuum. In PLD in argon, atoms are scattered on the substrate at differ...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
American Institute of Physics Inc.
2022
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/21198 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|