Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
III-V-N compounds are a promising class of solid solutions that have the prospect of being used in optoelectronic devices operating in a wide spectral range up to 3 μm, as well as for increasing the efficiency of photodetectors, lasers in fiber-optic communication lines and telecommunication systems...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Статья |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2023
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/22307 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|