Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
III-V-N compounds are a promising class of solid solutions that have the prospect of being used in optoelectronic devices operating in a wide spectral range up to 3 μm, as well as for increasing the efficiency of photodetectors, lasers in fiber-optic communication lines and telecommunication systems...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/22307 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|