STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...
שמור ב:
| Главные авторы: | , |
|---|---|
| פורמט: | Статья |
| שפה: | Russian |
| יצא לאור: |
2023
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|